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81.
Viterbi译码器的硬件实现   总被引:3,自引:0,他引:3  
介绍了一种Vkerbi译码器的硬件实现方法。设计的基于硬判决的Viterbi译码器具有约束长度长(9)、译码深度深(64)的特点。为了兼顾硬件资源与电路性能两个方面,在设计中使用了4个ACS单元,并根据Xilinx Virtex系列FPGA的结构特点.利用FPGA内部的BlockRAM保存汉明距离和幸存路径,提高了译码速度。  相似文献   
82.
粘土矿物是低渗砂岩储层的主要胶结物,对储层物性及开发过程中储层物性变化趋势有着重要的影响和控制作用。另外,粘土矿物也蕴含着大量沉积环境介质的物理化学信息,认识其自然规律,可以有效地指导预测有利储层,认识和改造油层。以鄂尔多斯盆地砂岩储层中的粘土矿物为研究对象,探讨分析粘土矿物对低渗储层性质的影响,该研究对含油气盆地低渗储层有效开发具有一定的参考价值。  相似文献   
83.
The effect of annealing on microstructure,adhesive and frictional properties of GeSb 2 Te 4 films were experimentally studied.The GeSb 2 Te 4 films were prepared by radio frequency(RF)magnetron sputtering,and annealed at 200℃and 340℃under vacuum circumstance,respectively.The adhesion and friction experiments were mainly conducted with a lateral force microscope(LFM)for the GeSb 2 Te 4 thin films before and after annealing.Their morphology and phase structure were analyzed by using atomic force microscopy(AFM)and X-ray Diffraction(XRD)techniques,and the nanoindention was employed to evaluate their hardness values.Moreover,an electric force microscope(EFM)was used to measure the surface potential. It is found that the deposited GeSb 2 Te 4 thin film undergoes an amorphous-to-fcc and fcc-to-hex structure transition;the adhesion has a weaker dependence on the surface roughness,but a certain correlation with the surface potential of GeSb 2 Te 4 thin films.And the friction behavior of GeSb 2 Te 4 thin films follows their adhesion behavior under a lower applied load.However,such a relation is replaced by the mechanical behavior when the load is relatively higher.Moreover,the GeSb 2 Te 4 thin film annealed at 340℃presents a lubricative property.  相似文献   
84.
85.
Organic electroluminescent thin film using Znq2(Znq2) as the emitting layer material with structure of glass/ITO/Znq2/Al(cell) was fabricated.The V-I curve ,V-B curve and electroluminescent spectra of the cell were measured.Meanwhile the fluorescent spectra, excited spectra and absorption spectra of Znq2 with power and film states were also measured.  相似文献   
86.
对掺杂了25份(phr)导电炭黑(CB)的样品进行了正电子湮灭寿命谱的变温测量,在玻璃化转变温度以上,随着温度的增加,自由体积的大小线性增加,在玻璃化转变温度以下,自由体积的大小基本不变,o-Ps的强度在-40℃下基本不变,从-40℃以上开始增加,但在50℃以上上升有加快的趋势,与PTC材料的PTC现象和导电性能有一定的关联。  相似文献   
87.
中频反应溅射SiO2膜与直流溅射ITO膜的在线联镀   总被引:2,自引:2,他引:0  
多数ITO透明导电玻璃生产线在实现SiO2膜与ITO膜在线联镀时,应用SiO2靶射频溅射沉积SiO2膜工艺和ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺,如果SiO2膜应用硅靶反应磁控溅射工艺,存在这种工艺是否可以与ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺在线联用以及如何实现联用的问题。作者对现有的生产线进行了改造设计、加工,做了大量实验、质谱分析和多项测试研究,成功地实现反应溅射SiO2膜与ITO膜在线联镀,做到SiO2镀膜室的工作状态的变化基本上不影响ITO镀膜室的工艺条件。  相似文献   
88.
ZnO压敏陶瓷最佳掺杂含量的理论计算   总被引:3,自引:0,他引:3  
范志新 《压电与声光》2002,24(3):244-246
从对电子薄膜材料研究中得到的最佳掺杂含量定量理论推广到ZnO陶瓷材料。该理论建立了电子薄膜材料的某一物理性能与晶体结构、制备方法和掺杂剂含量之间的联系,给出了一个能够拟合实验曲线的具有确定物理意义的抛物线方程。该方程的极值点确定了最佳掺杂含量与晶体结构和制备方法之间的定量关系,进而得到了一个掺杂最佳含量的表达式。系统地分析了ZnO压敏陶瓷的掺杂改性的实验结果,应用此表达式定量计算了ZnO压敏陶瓷的最佳掺杂含量,定量计算的结果与实验数据相符合。该理论也适用于其他薄膜材料最佳掺杂含量的理论计算。  相似文献   
89.
从理论上分析了一种基于光正交码(OOC)的多波长光正交码(MWOOC)的性能。给出了一种改进的基于OOC的MWOOC,并且蛤体分析了它的性能。与原MWOOC比较,改进的MWOOC的误码率性能基本相同,但码字数增加很多。  相似文献   
90.
南海西部注水开发油田的注水井大都为大斜度、中深井,且具有注水量大,注水层数多,配注层温度高等特点,偏心配水和滑套笼统注水都无法满足油田注水要求。研制开发出适合于海上油田的同心集成细分注水工艺,该技术实现了在?177.8 mm套管里用?88.9 mm油管分6层段注水的细分注水工艺,最小卡距2 m并能进行产液剖面的动态监测。原吸水较少的层位注水量得到加强,原吸水量大的层位注水量得到有效控制,达到了油藏要求的"细到单一小层,控到水量随时调配"的目标。该技术在海上油田的注水开发中具有十分广阔的应用前景,对于注水开发油田的注采平衡,保持油田稳产具有十分重要的意义。  相似文献   
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